Samsung on aloittanut uusien teratavun kokoisten flash-muistien tuotannon. The Vergen mukaan ne vastaavat fyysiseltä kooltaan valmistajan nykyisiä 512 gigatavun piirejä ja tarjoavat Samsungin mukaan tuhannen megatavun sekuntinopeutta. Se on myös 38 prosenttia nopeampi kuin 512 gigatavun piiri.
Uusia eUFS-muistipiirejä tullaan käyttämään ainakin seuraavan sukupolven älypuhelimissa. Niiden luvataan Samsungin varapääjohtaja Cheol Choin mukaan tuovan käyttökokemusta enemmän kannettavaa tietokonetta muistuttavaksi.
Nähtäväksi jää, onko jo pian julkaistavissa Galaxy S10 -puhelimissa kyseinen muistipiiri. 12 gigatavun ram-muistilla ja teratavun tallennusmuistilla varustetusta versiosta on ainakin ehditty jo huhuta.
Kommentit